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J-GLOBAL ID:200903039949751553

セル間隔制御装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井出 直孝 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995097055
Publication number (International publication number):1996293867
Application date: Apr. 21, 1995
Publication date: Nov. 05, 1996
Summary:
【要約】【目的】 バッファ内のセル蓄積量にしたがってセル送出間隔を制御する。【構成】 バッファ内のセル蓄積量にしたがって読出制御回路の読出アドレスの発生を制御する。セル蓄積量にいくつかの閾値を設け、この閾値に対応するセルの読み出し速度を設け、この閾値を超えたか否かを判定することにより読み出し速度を制御する。あるいは、バッファ内のセル蓄積量に無段階的に反比例した読出アドレスの発生周期を用いる。【効果】 バッファを小型化することができる。
Claim (excerpt):
到来したセルを蓄積するバッファと、このバッファのセル読み出しを制御する読出制御回路とを備えたセル間隔制御装置において、前記バッファのセル蓄積量にしたがって前記読出制御回路の読出アドレスの発生周期を制御する手段を備えたことを特徴とするセル間隔制御装置。
IPC (2):
H04L 12/28 ,  H04Q 3/00
FI (2):
H04L 11/20 G ,  H04Q 3/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • ATM/STM変換回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-196486   Applicant:富士通株式会社
  • ATMセルスイッチ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-070466   Applicant:日本電気株式会社, 日本電気通信システム株式会社

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