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J-GLOBAL ID：200903039963333918

透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法及びその透過型電子顕微鏡による欠陥測定方法

Inventor：
沖原 将生

About 沖原 将生


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996001768
Publication number (International publication number)：1997189649
Application date： Jan. 09, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 不良の原因となっている結晶欠陥の輪郭や発生個所を観察できるとともに、結晶欠陥の性質の同定を行うための特殊観察法が可能となる透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法及びその透過型電子顕微鏡による欠陥測定方法を提供する。【解決手段】 高集積素子中に存在する不良個所の周辺にマーキングすることにより不良個所を特定化し、透過型電子顕微鏡観察に際して不必要な領域を除去する鏡面研磨によるサンプルを作製し、そのサンプル裏面から研磨により、例えば、100μm程度に薄膜化する。次に、さらに裏面からサンプル13をディンプル加工する。この時、ディンプルの最深部がサンプル13の中心、つまり、サンプル表面のマーキング位置となるようにする。ディンプル加工により、最深部の膜厚は10μm前後とする。最後に、サンプル裏面からイオンミリング加工を行うことにより、不良部周辺を電子線が透過する程度に薄膜化する。
Claim (excerpt)：
(a)高集積素子中に存在する不良個所の周辺にマーキングすることにより不良個所を特定化する工程と、(b)透過型電子顕微鏡観察に際して不必要な領域を除去する鏡面研磨によるサンプルの作製工程と、(c)前記サンプルの薄膜化工程とを施すことを特徴とする透過型電子顕微鏡用の平面サンプルの作製方法。
IPC (2)：
G01N 1/28 ,  G01N 1/32
FI (3)：
G01N 1/28 F ,  G01N 1/32 A ,  G01N 1/28 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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