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J-GLOBAL ID:200903039979181670
液晶表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995171877
Publication number (International publication number):1997022024
Application date: Jul. 07, 1995
Publication date: Jan. 21, 1997
Summary:
【要約】【課題】 画質の高精細化、高輝度化を図るべく、補助容量部の容量を増加した液晶表示装置の提供が望まれている。【解決手段】 内面に画素電極を形成した一対の透明基板2、3間に液晶4を封入して多数の表示画素部5を形成し、透明基板のうちの一方の基板2上に薄膜トランジスタからなる駆動素子6を表示画素部5毎にそれぞれ形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置である。駆動素子6を形成した透明基板2の画素電極32を、駆動素子6の上を覆うとともに表示画素部5の周辺部にまで延ばして形成し、駆動素子側画素電極32上の、駆動素子6の略直上部および表示画素部5の周辺部に絶縁膜34を形成し、かつ絶縁膜34上に補助容量電極35を形成して、駆動素子側画素電極32と絶縁膜34と補助容量電極35とで補助容量部31を形成した。
Claim (excerpt):
内面に画素電極を形成した一対の透明基板間に液晶を封入して多数の表示画素部を形成し、前記透明基板のうちの一方の基板上に薄膜トランジスタからなる駆動素子を前記表示画素部毎にそれぞれ形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、前記駆動素子を形成した透明基板の前記画素電極を、該駆動素子の上を覆うとともに前記表示画素部の周辺部にまで延ばして形成し、該駆動素子側画素電極上の、前記駆動素子の略直上部および前記表示画素部の周辺部に絶縁膜を形成し、かつ該絶縁膜上に補助容量電極を形成して前記駆動素子側画素電極と絶縁膜と補助容量電極とで補助容量部を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4):
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (3):
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338 C
, H01L 29/78 612 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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表示素子基板用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-317342
Applicant:ソニー株式会社
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