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J-GLOBAL ID：200903040053249946

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 飯島 匡 ,  小野 寿子 ,  牛久 幸広
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993135398
Publication number (International publication number)：1994326102
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】Al配線に代わる実用的な低抵抗の金属配線を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上の溝を有するSiO2 膜2の全面にTiN膜3,Ti膜4,Ag膜5を順次形成する工程と、酸素を含むArガス雰囲気中の450〜750°Cの温度のアニールによって、Ag膜5中のAgの凝集を抑制するためのTiO2 膜6をAg膜5の表面に形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1の金属膜と、この第1の金属膜上に形成された銀を主成分とする第2の金属膜と、この第2の金属膜の少なくとも上面を被覆し、前記第1の金属膜の金属元素を含む保護膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-258227   Applicant：ソニー株式会社
• 配線構造及び配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-251711   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-258227   Applicant：ソニー株式会社
• 配線構造及び配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-251711   Applicant：株式会社東芝