発光ダイオードを有する蛍光体を用いての波長変換実行方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山田行一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000577717
Publication number (International publication number)：2002528898
Application date： Oct. 21, 1999
Publication date： Sep. 03, 2002
Summary：

【要約】装置(100)は、アクティブ領域(120)、蛍光体層(140)、および基板(130)を備える。アクティブ領域は、第1のグループの波長から選択された第1のバンドの波長を有する光を放出するように構成される。蛍光体層は、第1の屈折率を有する。蛍光体層は、複数の波長変換蛍光体を含む。蛍光体層は、アクティブ層から放出される光の第1のバンドの波長を第2のバンドの波長に変換するように構成される。第2のバンドの波長の中心波長が第1のバンドの波長の中心波長よりも大きい。基板は、アクティブ領域と蛍光体層との間であってそれらと接触するように配置される。この基板は、第2の屈折率を有する。第1の屈折率は、第2の屈折率と実質的に等しい。

Claim (excerpt)：

少なくともアクティブ層と第1のデバイス層を有するアクティブ領域であって、前記第1のデバイス層がアクティブ領域屈折率を有し、前記アクティブ領域が、第1のグループの波長からの第1のバンドの波長を有する光を放出するように構成される、アクティブ領域と; 前記アクティブ領域と外部媒体との間にあってその双方に接触するように配される蛍光体層であって、前記蛍光体層は、前記アクティブ領域から放出される光の前記第1のバンドの波長を第2のバンドの波長に変換するように構成され、前記第2のバンドの波長の中心波長が前記第1のバンドの波長の中心波長よりも大きく、前記蛍光体層が前記第1のバンドの波長と関連する第1の屈折率と前記第2のバンドの波長に関連する第2の屈折率を有する、蛍光体層と、を備え、前記蛍光体層の前記第1の屈折率が実質的に前記アクティブ領域屈折率と等しく、前記蛍光体の前記第2の屈折率が実質的に前記外部媒体の屈折率と等しい、装置。

F-Term (11)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA93 , 5F041CB05 , 5F041CB15 , 5F041DA04 , 5F041DA14 , 5F041FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338114 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-006407 Applicant：スタンレー電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

理工学基礎講座11 光学概論I -基礎と幾何光学-, 19870301, 25-38頁

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