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J-GLOBAL ID：200903072132067615

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 浅見 慎也 ,  小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338114
Publication number (International publication number)：1997153645
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。

Claim (excerpt)：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、紫外線を発光する発光層と、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを設けたことを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336011   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-331481   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 混合蛍光体および蛍光ランプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-074159   Applicant：東芝ライテック株式会社, 株式会社東芝
• 特開昭48-020539
  
• 特開平2-091980
  
• 特開昭58-043583
  
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-224110   Applicant：旭化成工業株式会社