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J-GLOBAL ID：200903040059253066

半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置

Inventor： 玉石 正幸 ,  香西 博 ,  伊藤 嘉之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001148083
Publication number (International publication number)：2002083827
Application date： May. 17, 2001
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 1つのサブマウント上に2つのレーザーチップを高い位置精度で、狭いピッチにてボンディングする半導体レーザー装置を製造するための方法および装置を提供する。【解決手段】 2つのチップを中間ステージにおいて外形認識し、位置補正した後にサブマウントにボンディングを行うボンディングステージ上でコレットを電極にしチップに電圧をかけ、それぞれ2つのチップを発光させて発光点データを基に最終位置補正を行いボンディングする。コレットをチップ表面に対して斜めに配置することによって、狭いピッチにて2つのチップをボンディングすることができる。

Claim (excerpt)：

2つの半導体レーザーチップが1つのサブマウントにダイボンドされた半導体レーザー装置の製造方法であって、中間ステージに半導体レーザーチップを置く工程と、サブマウント上で該半導体レーザーチップを発光させ発光点位置を計測する工程と、該サブマウントの所定の位置に該半導体レーザーチップを定点搬送する工程とを含む半導体レーザーチップの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01S 5/022

FI (2)：

H01L 21/52 F ,  H01S 5/022

F-Term (9)：

5F047AA19 ,  5F047CA08 ,  5F047FA14 ,  5F047FA73 ,  5F047FA83 ,  5F073FA23 ,  5F073FA30 ,  5F073HA04 ,  5F073HA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-067793
  
• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-134545   Applicant：シャープ株式会社