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J-GLOBAL ID:200903040071226473

MgO単結晶基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小堀 益
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993098130
Publication number (International publication number):1994305887
Application date: Apr. 23, 1993
Publication date: Nov. 01, 1994
Summary:
【要約】【目的】 強誘電体、超伝導体、人工格子体などの電子材料薄膜育成用として好適に使用可能なMgO単結晶基板を得る。【構成】 MgO単結晶基板において、亜粒界に囲まれた結晶粒の数が0〜5×105 個/cm2 の範囲で、かつ亜粒界を除いた結晶中の転位密度が1×103〜5×108 個/cm2 の範囲にあるMgO単結晶基板。
Claim (excerpt):
MgO単結晶基板において、亜粒界に囲まれた結晶粒の数が0〜5×105 個/cm2 の範囲で、かつ亜粒界を除いた結晶中の転位密度が1×103 〜5×108 個/cm2 の範囲にあるMgO単結晶基板。
IPC (2):
C30B 29/16 ,  H01L 23/15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-263794
  • マグネシア単結晶の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-345510   Applicant:黒崎窯業株式会社, ジャパン・ゼネラル株式会社
  • 特開平2-263794

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