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J-GLOBAL ID：200903040072661823

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 井上 敦央 ,  早坂 淳 ,  森 重恭 ,  小西 貴雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001316198
Publication number (International publication number)：2003123047
Application date： Oct. 15, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置は、年々、多機能化が進んでいるが、逆に薄型化、軽量化が進行しており、それを実現するため限られたスペースへの集積化や素子の薄型化が求められている。例えば、ICカードは年々多機能化が進んでいるが、各機能を実現するための素子を平面的に配置するにはICカードの面積には制限があり、集積化に限界がある。【解決手段】 データを記録する素子と、データの処理を行う演算素子と、デーり取りする通信素子と、エネルギーを貯蔵または発生する素子と、外部の情報を検出し蓄積或いは通信可能なデータに変換する素子と、記録されたデータを表示する素子の全部又は一部を含む構成の半導体装置において、前記各素子の一部又は全部が厚さ方向に積層されて構成されることを特徴とする半導体装置を提供する。

Claim (excerpt)：

データを記録する素子と、データの処理を行う演算素子と、データをやり取りする通信素子と、エネルギーを貯蔵または発生する素子と、外部の情報を検出し蓄積或いは通信可能なデータに変換する素子と、記録されたデータを表示する素子の全部又は一部を含む構成の半導体装置において、前記各素子の一部又は全部が厚さ方向に積層されて構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

G06K 19/077 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/07 ,  H01L 51/00

FI (5)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/00 K ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 J ,  H01L 29/28

F-Term (13)：

2C005MA33 ,  2C005MA40 ,  2C005MB03 ,  2C005NA06 ,  2C005PA03 ,  2C005QC03 ,  2C005SA21 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035BB12 ,  5B035CA01 ,  5B035CA06 ,  5B035CA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-025497
  
• ICカード及び薄膜集積回路装置並びにそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-193197   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-199535   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-025497