半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997164467
Publication number (International publication number)：1999017005
Application date： Jun. 20, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】エアギャップを含む絶縁膜を有する半導体装置における配線及びビアの信頼性を向上させる。【解決手段】第1の配線2の表面が絶縁膜3で被覆することにより、後工程でエアギャップ5を含む第2の絶縁膜4を形成する際に粗悪な絶縁膜が形成されたとしても、絶縁膜3により十分な絶縁性を確保する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に配線を有する半導体装置であって、配線の表面上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜で被覆された前記配線間にエアギャップを含む第2の絶縁膜を形成したものであることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/90 N , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-264140 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-318752
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-209831 Applicant：ソニー株式会社

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