Pat
J-GLOBAL ID:200903040535681187
スルホニウム塩及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999169631
Publication number (International publication number):2000212158
Application date: Jun. 16, 1999
Publication date: Aug. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】半導体材料等に用いられる化学増幅形フォトレジストの光酸開示剤などに有用なスルホニウム塩とその製造方法を提供する。【解決手段】下記の一般式(化1)で示されるスルフィド化合物と、下記の一般式(化2)で示される無水パーフルオロスルホンを反応させて、下記一般式(化3)(ただし前記式1〜3において、R1 は水素原子、炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、フェニル基、チオアルコキシ基又はチオフェノキシ基、R2 は炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、アリール又はアリル基、nは0〜20の正の自然数をそれぞれ示す。)で示されるスルホニウム塩を合成する。【化1】【化2】【化3】
Claim (excerpt):
下記の一般式(化1)で示されるスルホニウム塩。【化1】(ここで、R1 は水素原子、炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、フェニル基、チオアルコキシ基又はチオフェノキシ基、R2 は炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、アリール又はアリル基、nは0〜20の正の自然数をそれぞれ示す。)
IPC (4):
C07C381/12
, C08F 2/48
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038 601
FI (4):
C07C381/12
, C08F 2/48
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
Patent cited by the Patent:
Return to Previous Page