高誘電率材料キャパシタを有する半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209595
Publication number (International publication number)：1998056146
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】誘電体層の物性によることなくキャパシタ容量を増大可能な高誘電率材料キャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1の主表面上には層間絶縁層2が形成され、層間絶縁層2にはコンタクトホール3が形成される。コンタクトホール3内には埋込導電層4が形成される。埋込導電層4上から層間絶縁層2上に延在するようにバリアメタル層5が形成される。バリアメタル層5の上面と側壁とを覆うように下部電極層6が形成される。下部電極層6を覆うように誘電体層7と上部電極層8が形成される。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面上に形成され該主表面に達するコンタクトホールを有する層間絶縁層と、前記コンタクトホール内に形成された埋込導電層と、前記埋込導電層上から前記層間絶縁層上に延在するように形成されたバリアメタル層と、前記バリアメタル層の上面と側壁とを覆うように形成されたキャパシタの下部電極と、前記下部電極を覆うように形成され、高誘電率材料からなる前記キャパシタの誘電体層と、前記誘電体層を覆うように形成された前記キャパシタの上部電極と、を備えた、高誘電率材料キャパシタを有する半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 21/28 301 C , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196834 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-057106 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-252064

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