プラズマ処理装置及び処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：沼形義彰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000276668
Publication number (International publication number)：2002093781
Application date： Sep. 12, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来から用いられているものと同じ各種プラズマプロセスモニタを用いながら、これらのモニタによって検出される信号の情報量を飛躍的に向上させ、高精度なプラズマ処理の制御を実現する。【解決手段】プラズマへの投入電力、処理圧力、ガス流量、ウエハへの高周波バイアス電力といった制御パラメータを、ウエハのプラズマ処理結果に影響しない範囲で、全体のプラズマ処理時間に比べてごく短い時間変動させ、そのときに起こるプラズマ状態の非定常性をモニタすることにより、従来と同じプロセスモニタを用いても、時間軸に対する情報が増えることになり、得られたデータが含む情報量が飛躍的に増大する。このモニタ法によって得られた信号を用いて、プラズマ処理の制御を行うことにより、微細なエッチング加工や、高品質な成膜加工、表面処理等が可能となる。

Claim (excerpt)：

プラズマへの投入電力、処理圧力、ガス流量、ウエハへの高周波バイアス電力といったそのプロセスを制御するパラメータを、ウエハのプラズマ処理結果に影響しない範囲で変動させ、そのときに起こるプラズマ状態の非定常性を、光学的、電気的、磁気的、機械的、熱的、圧力、温度、または、その他の物理的、化学的なモニタ手段で検出し、検出した信号を用いて、プラズマ処理の制御、装置の診断を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/00 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/31 C , H05H 1/00 A , H05H 1/46 A , H01L 21/302 E

F-Term (18)：

5F004AA16 , 5F004BB18 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA08 , 5F004CA09 , 5F004CB02 , 5F004CB07 , 5F004CB10 , 5F004CB11 , 5F045AA08 , 5F045BB00 , 5F045DP02 , 5F045EE17 , 5F045EH19 , 5F045GB06 , 5F045GB08 , 5F045GB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-049732 Applicant：富士通株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078099 Applicant：富士通株式会社
特開平4-304631

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