プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078099
Publication number (International publication number)：1998326697
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体、金属、誘電体などの膜を基板上に成長したり、或いは、膜をエッチングするために使用するプラズマ発生領域内のパーティクル検出を含むプラズマ処理方法に関し、場所を取らず且つ高感度でパーティクル数を経時的に検出すること。【解決手段】プラズマが発生しているプラズマ発生領域Aの電子密度を測定し、前記プラズマ発生領域Aの電子密度の値に基づいて前記プラズマ発生領域Aでのパーティクル量を検出する。

Claim (excerpt)：

チャンバ内でウェハの上方にプラズマを発生させ、前記プラズマの電子密度を測定し、前記プラズマの電子密度の大きさ又はその変化に基づいて前記チャンバ内でのパーティクルの存在を検出することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

H05H 1/46 , C23C 14/54 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/00

FI (7)：

H05H 1/46 B , C23C 14/54 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H05H 1/00 A , H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-250409 Applicant：株式会社東芝
特開昭64-073620
特開昭64-073620

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Cited by examiner (2)

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