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J-GLOBAL ID：200903040657447096

カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法

Inventor： 松本 和彦 ,  内山 哲夫
Applicant, Patent owner： 株式会社 ケイアンドティ
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000075981
Publication number (International publication number)：2001261316
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 突起部の頂部にのみカーボンナノチューブを局所的にかつ成長長さを制御して成長させることができ、しかも不純物となるゴミの発生を抑制できるカーボンナノチューブの成長方法提供すること。【解決手段】 このカーボンナノチューブの成長方法では、頂部104Aを除くコーン形状104と表面層102との上に、これらを熱酸化して得られる酸化シリコン膜から成るマスク層120が形成される。この後、マスク層を形成したまま頂部104Aを触媒140と接触させる。この後、加熱下にて炭素を含むガスを分解して、頂部104Aにカーボンナノチューブ110を気相成長させて、カーボンナノチューブ110の先端110Aを頂部104より突出させる。このとき、マスク層120上に形成される炭素塊150は、マスク層120の剥離によって除去される。

Claim (excerpt)：

表面層上に頂部を有する突起部を形成する工程と、前記頂部を除く前記突起部と前記表面層との上に、前記表面層及び前記突起部の形成材料とは異なるマスク層を形成する工程と、前記マスク層にて覆われていない前記頂部を触媒と接触させる工程と、加熱下にて炭素を含むガスを分解して、前記頂部にカーボンナノチューブを気相成長させて、前記カーボンナノチューブの先端を前記頂部より突出させる工程と、を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。

F-Term (3)：

4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301259   Applicant：日本真空技術株式会社

Cited by examiner (1)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301259   Applicant：日本真空技術株式会社