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J-GLOBAL ID：200903040659495721

固体撮像装置

Inventor： 宮川 良平 ,  山下 浩史 ,  佐々木 道夫 ,  大場 英史 ,  田中 長孝 ,  馬渕 圭司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996248362
Publication number (International publication number)：1998098176
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】欠陥の多いLOCOS領域の端部の空乏化を防止し、LOCOS領域の端部の欠陥で発生するリーク電流を減少させること。【解決手段】シリコン基板(p型層領域)16の表面部にこのp型層領域16と共にフォトダイオードを構成するn型層領域17が形成されている。また、シリコン基板16の表面部のp+ 層18上には、素子分離領域(LOCOS領域)19が、シリコン基板16の一部を酸化して形成されている。上記n型層領域17とLOCOS領域19は、所定の距離Lだけ離れて形成されている。また、n型層領域17とコンタクト20とは、リセットトランジスタのゲート21の分だけ離間されて形成されている。そして、上記コンタクト20には、配線層22が接続されている。尚、23は平坦化層である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に少なくとも光電変換領域のためのフォトダイオードとシリコン基板が酸化されて形成され、上記フォトダイオードを素子分離する素子分離領域と上記フォトダイオードで収集された信号電荷を増幅する手段とを備えた画素の配列から成る固体撮像装置に於いて、上記フォトダイオードの不純物層は、素子分離領域から所定感覚をおいてて形成されることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-131681
  
• 特開昭59-130466
  
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-099139   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開昭61-097861