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J-GLOBAL ID：200903040699720426

オプトエレクトロニク半導体装置及びその製造方法

Inventor：
ヨハネス アントニウス デ ポールテル

About ヨハネス アントニウス デ ポールテル


Applicant, Patent owner：
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ

About フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ


Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994289502
Publication number (International publication number)：1995193341
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 炭素の多い層がダイオードレーザの被膜上に堆積されることなく、製造を比較的簡単としたオプトエレクトロニク半導体装置を提供する。【構成】 発光半導体ダイオード3を有し、その発生放射Rに対する出射面に被膜4が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置10において、前記の発光半導体ダイオード3を、外界40から気密封止されたエンベロープ20内に配置し、酸化性ガス30をエンベロープ20内に存在させる。
Claim (excerpt)：
発光半導体ダイオード(3)を有し、その発生放射(R)に対する出射面に被膜(4)が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置(10)において、前記の発光半導体ダイオード(3)が、外界(40)から気密封止されたエンベロープ(20)内に配置され、酸化性ガス(30)がエンベロープ(20)内に存在していることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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