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J-GLOBAL ID：200903040773555408

炭化けい素基板の熱処理方法

Inventor： 広瀬 友二 ,  斎藤 明
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997246559
Publication number (International publication number)：1999087257
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】SiC基板にイオン注入した不純物の活性化、拡散のための1200°C以上の高温熱処理に際して、Siの蒸発によるSiC基板の黒化を抑制する。【解決手段】SiC製の蓋1およびSiC製の台付き容器4とでほぼ密閉状態をつくり、その中にSiC基板3とSi片5を入れ、加熱する。

Claim (excerpt)：

炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板を入れて熱処理することを特徴とする炭化けい素基板の熱処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 不純物のイオン注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289331   Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 特開平3-283533
  

Cited by examiner (2)

• 不純物のイオン注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289331   Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 特開平3-283533