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J-GLOBAL ID：200903033504596770

不純物のイオン注入方法

Inventor：
藤井 兼栄

About 藤井 兼栄

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堀野 裕治

About 堀野 裕治

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中田 俊武

About 中田 俊武


Applicant, Patent owner：
工業技術院長

About 工業技術院長

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株式会社イオン工学研究所

About 株式会社イオン工学研究所


Agent (2)： 福島 祥人 (外1名) ,  福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994289331
Publication number (International publication number)：1996148443
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低温下または室温下で炭化ケイ素にその結晶性を損なうことなく不純物をイオン注入する方法を提供することである。【構成】 室温でp型またはn型の不純物イオン2をSiC基板1に注入しながら、同時にSiC基板1の表面にレーザ光3をパルス状に照射する。これにより、SiC基板1にイオン注入された不純物がレーザ光3により均一に拡散されるとともに、レーザ光3の光反応によりSiC基板1の結晶性の回復および不純物の活性化が行われ、SiC基板1の表面から所定の深さにp型またはn型の不純物ドープ層4が形成される。
Claim (excerpt)：
半導体に不純物イオンを注入しながらレーザ光を同時に照射することを特徴とする不純物のイオン注入方法。
IPC (2)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/268
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (22)
  • イオン打ち込み方法及びイオン打ち込み装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014615   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平3-019321
  • 特開昭62-043134
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