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J-GLOBAL ID：200903040777871940

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 澤木 宣彦 ,  古川 勝紀
Applicant, Patent owner： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000201092
Publication number (International publication number)：2002026387
Application date： Jul. 03, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板上に形成された良質の窒化物結晶からなる半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体素子10は、孔または溝14が形成されているシリコン単結晶11と、孔または溝14に形成されている半導体層12とを備える。孔または溝14は、シリコン単結晶11の主表面11aと異なる斜面11bを有している。斜面11bには、主表面11aに現れる結晶面と異なる結晶面が現れている。半導体層12は、斜面11b上に形成されており、かつ式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物の結晶からなる。

Claim (excerpt)：

孔および溝よりなる群から選ばれた構造が形成されているシリコン単結晶と、前記構造に形成されている半導体層とを備え、前記構造は、前記シリコン単結晶の主面と異なる斜面を有しており、前記斜面には、前記主表面に現れる結晶面と異なる結晶面が現れており、前記半導体層は、前記斜面上に形成されており、かつ前記半導体層は、式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物の結晶からなる、半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/42

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/42 ,  H01L 31/10 A

F-Term (25)：

5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88 ,  5F041CB22 ,  5F041CB27 ,  5F041FF01 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA19 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049RA02 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F073AB02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-338124   Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (1)

• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-338124   Applicant：京セラ株式会社