Pat
J-GLOBAL ID：200903093772418519

化合物半導体基板の製造方法

Inventor：
坂井 久

About 坂井 久


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338124
Publication number (International publication number)：2000164514
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 反射防止膜の蒸着や特殊なフォトリソグラフィが必要で工程が煩雑であるという問題があった。【解決手段】 Si基板上に高さが50〜500nmの等方性表面テクスチャを形成し、このSi基板上にIII -V族化合物半導体バッファ層を成長し、このバッファ層上に化合物半導体層を成長し、この化合物半導体層上にさらに複数の化合物半導体層を成長する。
Claim (excerpt)：
Si基板上に高さが50〜500nmの等方性表面テクスチャを形成する工程と、このSi基板上にIII -V族化合物半導体バッファ層を成長する工程と、このバッファ層上に化合物半導体層を成長する工程と、この化合物半導体層上にさらに複数の化合物半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
F-Term (28)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA03 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA12 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM