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J-GLOBAL ID：200903040791025521

半導体集積回路の配線構造

Inventor： 小川 康徳
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336394
Publication number (International publication number)：1997181182
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路のチャネル配線における配線容量の低減を図る。【解決手段】 チャネル・ルーティング・アルゴリズムにより配線チャネル領域14の幹線方向に第1層配線2,4,6及び第2層配線1,3,5,7の複数の配線層、さらに支線方向に第2層配線8を有する半導体集積回路の配線構造であって、幹線方向の配線層を特定の複数層例えば3層に限定し、この複数層内における少なくとも2層の上下に隣接する配線層の配線トラック1a,3a等の間隔p1等を等しくし、それぞれの配線層の配線トラックはそのトラック間隔の半分だけ幹線と直交する支線方向にずらしたもの。

Claim (excerpt)：

チャネル・ルーティング・アルゴリズムにより配線チャネル領域の幹線方向及び支線方向に複数の配線層を有する半導体集積回路の配線構造において、前記幹線方向の複数層内における少なくとも2層の上下に隣接する配線トラックの間隔を等しくし、前記それぞれの配線層の前記配線トラックはそのトラック間隔の半分だけ前記幹線と直交する支線方向にずらしていることを特徴とする半導体集積回路の配線構造。

IPC (4)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/82 C ,  G06F 15/60 658 H ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多層配線半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-342848   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-283847
  
• 特開平1-283847