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J-GLOBAL ID：200903040809841267

機能性膜のパターン形成方法

Inventor：
菱沼 慶一

About 菱沼 慶一

, 
藤井 隆満

About 藤井 隆満


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 宇都宮 正明 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007184734
Publication number (International publication number)：2009021518
Application date： Jul. 13, 2007
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：
【課題】高温プロセスを用いて機能性膜を形成することが可能であり、汎用性が高く、簡易で実用的な機能性膜のパターン形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第1の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程と、熱又は物理的作用力に対する耐性が第1の犠牲層よりも弱い第2の犠牲層を第1の犠牲層上に形成する工程と、第1及び第2の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程と、第2の犠牲層に熱及び/又は物理的作用力を加えて第2の犠牲層を部分的に除去することにより、特定のエッチング液を第1の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程と、特定のエッチング液を用いて、通過孔等を介して第1の犠牲層をエッチングすることにより、第1及び第2の犠牲層と第2の犠牲層の上の機能性膜とを除去する工程とを具備する。【選択図】図1G
Claim (excerpt)：
電界又は磁界を印加することにより所定の機能を発現する機能性材料によって構成される機能性膜のパターンを形成する方法において、 特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第1の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程(a)と、 熱又は物理的作用力に対する耐性が前記第1の犠牲層よりも弱い第2の犠牲層を前記第1の犠牲層上に形成する工程(b)と、 前記第1及び第2の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程(c)と、 前記第2の犠牲層に熱及び/又は物理的作用力を加えて前記第2の犠牲層を部分的に除去することにより、前記特定のエッチング液を前記第1の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程(d)と、 前記特定のエッチング液を用いて、工程(d)において形成された通過孔、クラック、又は隙間を介して前記第1の犠牲層をエッチングすることにより、前記第1の犠牲層と前記第2の犠牲層及び前記第2の犠牲層上に形成された前記機能性膜とを除去する工程(e)と、 を具備する機能性膜のパターン形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/306 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  B81C 1/00
FI (4)：
H01L21/306 N ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  B81C1/00
F-Term (15)：
3C081AA17 ,  3C081BA55 ,  3C081CA03 ,  3C081CA15 ,  3C081CA28 ,  3C081DA02 ,  3C081DA11 ,  3C081DA45 ,  5F043AA20 ,  5F043BB12 ,  5F043BB15 ,  5F043BB17 ,  5F043DD01 ,  5F043DD18 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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