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J-GLOBAL ID：200903040863698674

ITO膜付き基体、およびその製造方法、ならびにそれを有する有機EL素子

Inventor：
光井 彰

About 光井 彰

, 
増茂 邦雄

About 増茂 邦雄


Applicant, Patent owner：
旭硝子株式会社

About 旭硝子株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002146328
Publication number (International publication number)：2003335552
Application date： May. 21, 2002
Publication date： Nov. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】膜表面の凹凸が小さく平坦性に優れ、成膜後の加熱処理や透明ITO膜の表面の研磨といった複雑な製造工程が不要なITO膜を有するITO膜付き基体とそのの製造方法、および駆動電流が低く、ダークスポットが発生しにくい有機EL素子の提供。【解決手段】基体上に酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜と、前記下地膜に接して形成された錫ドープ酸化インジウム膜とを有する錫ドープ酸化インジウム膜付き基体であって、前記下地膜の膜厚が1〜15nmであり、前記ITO膜表面の平均表面粗さRaが1.2nm以下であることを特徴とする錫ドープ酸化インジウム膜付き基体、および該錫ドープ酸化インジウム膜付き基体を用いた有機EL素子。
Claim (excerpt)：
基体上に酸化ジルコニウムを主成分とする厚さが1〜15nmである下地膜を形成し、次いで前記下地膜に接して錫ドープ酸化インジウム膜を形成し、次いで酸素ガスを含むスパッタガスの雰囲気中において前記錫ドープ酸化インジウム膜を逆スパッタ処理することを特徴とする錫ドープ酸化インジウム膜付き基体の製造方法。
IPC (5)：
C03C 17/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (5)：
C03C 17/34 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
F-Term (23)：
3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007AB08 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC03 ,  4G059AC14 ,  4G059EA01 ,  4G059EA03 ,  4G059EB02 ,  4G059EB04 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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