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J-GLOBAL ID：200903040871496916

半導体装置の製造方法

Inventor： 大倉 嘉之 ,  長嶋 隆
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995122707
Publication number (International publication number)：1996316186
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 分子側鎖及び末端にSi-Hの構造を持つ樹脂材料を用いて無機層間絶縁膜を形成する工程を経て半導体装置を製造するに際し、基板上の余分な樹脂材料やスピンコート装置に付着した樹脂材料の溶剤洗浄を容易にする半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 樹脂材料を塗布した基板1のエッジ部分に存在する余分な樹脂材料、基板の裏面に付着した樹脂材料、又は塗布装置2内に飛散した樹脂材料を、非水溶性ケトン又は置換芳香族化合物を洗浄溶剤として洗浄除去する。

Claim (excerpt)：

分子側鎖及び末端にSi-Hの構造を持つ樹脂材料から無機層間絶縁膜を形成する工程を経て半導体装置を製造する方法であって、当該樹脂材料を塗布した基板のエッジ部分に存在する余分な樹脂材料、基板の裏面に付着した樹脂材料、又は塗布装置内に飛散した樹脂材料を、非水溶性ケトン又は置換芳香族化合物を洗浄溶剤として洗浄除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 洗浄液および洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-037346   Applicant：徳山石油化学株式会社
• 特開平4-130715
  

Cited by examiner (2)

• 洗浄液および洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-037346   Applicant：徳山石油化学株式会社
• 特開平4-130715