自励発振型半導体レーザ素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049366
Publication number (International publication number)：1995263794
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】安定に自励発振する自然超格子構造を取り得る半導体材料からなる可飽和光吸収層を備えた自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】発振光と略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層4、10を備えた自励発振型半導体レーザ素子において、可飽和光吸収層4、10は無秩序化している構成とした。

Claim (excerpt)：

常に発振光と略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層を備えたことを特徴とする自励発振型半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-067780
特開平1-239891
特開平4-206584

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