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J-GLOBAL ID：200903040923034673

処理装置

Inventor： 宮崎 真司
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120737
Publication number (International publication number)：1994310083
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の帯電を除去して、被処理体への微細塵埃の付着防止、放電による素子の破壊等を防止し、製品歩留りの向上を図る。【構成】 未処理及び処理済みの半導体ウエハWを搬入・搬出手段13にて搬送する搬入・搬出機構10と、搬送手段22によって半導体ウエハWを適宜処理機構21a〜21fに搬送する処理機構ユニット20とを具備する処理装置に、半導体ウエハWにイオンを照射するイオン照射手段40と、イオンの極性の選択及びイオン照射量を調整するコントローラ50とを設ける。これにより、イオン照射手段40に生成されたイオンを半導体ウエハWに照射して半導体ウエハWに帯電された静電気を除去することができる。

Claim (excerpt)：

未処理及び処理済みの被処理体を搬入・搬出手段にて搬送する搬入・搬出機構と、搬送手段によって被処理体を適宜処理部に搬送して処理する処理機構ユニットとを具備する処理装置において、上記被処理体にイオンを照射するイオン照射手段と、イオンの極性の選択及びイオン照射量を調整する制御部とを具備することを特徴とする処理装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-131455
  
• イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-164796   Applicant：富士通株式会社