半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995182070
Publication number (International publication number)：1996339960
Application date： Jun. 26, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】結晶化を助長する触媒金属を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で得られる結晶性珪素膜中における金属元素濃度を下げ、同時に結晶性に良好な結晶性珪素膜を得る。【構成】ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない膜の結晶化を行う。そしてフッ酸処理を行うことにより、局在化しているニッケル成分を取り除く。さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。そしてさらに550°C、4時間の加熱処理を施すことにより、金属元素の濃度が低く、しかも欠陥密度の小さい結晶性珪素膜を得る。

Claim (excerpt)：

結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜に導入する工程と、加熱処理を施し前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜とする工程と、前記金属元素を除去する工程と、前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光を照射する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 21/324 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平2-140915
特開平2-260521
特開平2-260524

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Cited by examiner (9)

特開平2-140915
特開平2-260521
特開平2-260524

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