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J-GLOBAL ID：200903040949070775

複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス

Inventor： ホフマン,ランディ ,  ハーマン,グレゴリー,エス ,  マーディロヴィッチ,ピーター
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007502848
Publication number (International publication number)：2007529119
Application date： Feb. 25, 2005
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

例示的な一実施形態には半導体デバイスが含まれる。当該半導体デバイスは、亜鉛-ガリウム、カドミウム-ガリウム、カドミウム-インジウムを含む金属酸化物のうちの1つ又は複数を含んで成るチャネルを具備し得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ドレイン電極(112、212); ソース電極(110、210); 前記ドレイン電極(112、212)及び前記ソース電極(110、210)と接触しているチャネル(108、208)であって、亜鉛-ガリウム、カドミウム-ガリウム及びカドミウム-インジウムを含む金属酸化物のうちの1つ又は複数を含む、チャネル(108、208); ゲート電極(104、204); 前記ゲート電極(104、204)と前記チャネル(108、208)との間に配置されたゲート誘電体(106、206)、 とを含んで成る、半導体デバイス(100、200、400)。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (34)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-172301   Applicant：株式会社村田製作所
• 半導体装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-508258   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ