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J-GLOBAL ID：200903040961416067

高密度ITO焼結体及びスパッタリングターゲット

Inventor： 吉村 了治 ,  隈 公貴 ,  山本 和明 ,  小川 展弘 ,  毛利 隆
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143652
Publication number (International publication number)：1993311428
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】【構成】 焼結密度90%以上100%以下、焼結粒径1μm以上20μm以下のITO焼結体およびそのスパッタリングタ-ゲット。【効果】 本発明のスパッタリングタ-ゲットは、熱伝導性、抗折力が高く、比抵抗は1×10-3Ωcm以下であり、スパッタレ-トが最も高く、タ-ゲットの割れやタ-ゲット表面のノジュールの発生を効果的に防止し、また、特に低温基板上に極めて低抵抗な透明導電膜を提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

焼結密度90%以上100%以下、焼結粒径1μm以上20μm以下であることを特徴とする高密度ITO焼結体。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化インジウム-酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-018312   Applicant：三菱マテリアル株式会社