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J-GLOBAL ID：200903080711467709

酸化インジウム-酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット

Inventor： 町野 毅 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫 ,  大内 幸弘 ,  高橋 昭雄
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018312
Publication number (International publication number)：1993179439
Application date： Jan. 06, 1992
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の透明電極、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられるインジウム-錫酸化物透明導電膜を短時間のスパッタリングにより形成することのできるスパッタリング用ターゲットを提供する。【構成】 結晶粒の平均粒径が1μm以下の組織を有し、かつ相対密度が85%以上の酸化インジウム-酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。

Claim (excerpt)：

結晶粒の平均粒径が1μm以下の組織を有し、かつ相対密度が85%以上の酸化インジウム-酸化錫焼結体からなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

• 特開平3-028156
  
• 特開平2-194943
  
• 特開平3-207858
  
• 特開平2-236271
  
• 特開平2-225366
  
• 特開平2-297812
  
• 特開平2-297813
  
• 特開平3-112850
  
• 特開平4-154654
  
• 特開平4-051409
  
• 特開平4-074860
  
• ITO焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186904   Applicant：住友金属鉱山株式会社, 住友石炭鉱業株式会社
• ITOスパツタリングタ-ゲツトの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336301   Applicant：株式会社日鉱共石
• 酸化インジウム・酸化スズ焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-262559   Applicant：東ソー株式会社
• 酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-410685   Applicant：日立金属株式会社, 株式会社安来精密
• 高密度ITO焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-353102   Applicant：東ソー株式会社