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J-GLOBAL ID：200903040981396054

防曇性薄膜及びその製造方法

Inventor： 武部 安男 ,  大竹 忠 ,  美濃 規央 ,  小川 一文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204888
Publication number (International publication number)：1995053739
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 オングストロームオーダーの成膜および膜厚制御が可能で、そのため透明性が良好でピンホールフリー、かつ強固に基体と結合している防曇性薄膜およびその製造方法を提供する。【構成】 膜構成分子が基体と直接または内層膜を介して間接的にSi、Ge、Sn、Ti、Zr、S、Cから選ばれる少なくとも1つの原子を介して共有結合しており、前記膜内にエーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、ホスフォニル結合(-PO2 -)、ホスフィニル結合(-PO-)、スルフォニル結合(-SO2 -)、スルフィニル結合(-SO-)、アミノ基、リン酸基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、スルフォン酸基、第4級アンモニウム基、第4級ホスフォニウム基から選ばれる少なくとも1つの結合または官能基を含み、極めて高い親水性を有している。

Claim (excerpt)：

基体上に設けた化学吸着膜が、エーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、ホスフォニル結合(-PO2 -)、ホスフィニル結合(-PO-)、スルフォニル結合(-SO2 -)、及びスルフィニル結合(-SO-)から選ばれる少なくとも1つの結合を膜構成分子の骨格中に含み、かつ防曇性を有することを特徴とする防曇性薄膜。

IPC (4)：

C08J 5/18 CFJ ,  C09D 5/00 PPG ,  C09D129/04 PFL ,  C09K 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-328701
  
• 親水性薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220823   Applicant：松下電器産業株式会社
• イオン伝導性薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-194420   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-328701