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J-GLOBAL ID：200903040988918161

電子部材とその製造方法

Inventor：
ボビー・エル・ピッツ・ジュニア

About ボビー・エル・ピッツ・ジュニア


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000248414
Publication number (International publication number)：2001085674
Application date： Aug. 18, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高電圧マイクロ波電界効果トランジスタ(FET)とその製造方法が提供される。【解決手段】 FET10は、圧縮ひずみをかけられた GaInPによって形成されるチャネル層18を含む。引張ひずみをかけられた(AlGa)InPによって形成されるキャリア閉込め層16,20が、チャネル層18の上部20と下部16の両方に形成されて、チャネル層18にキャリアを閉じ込め、高い降伏電圧を与える。
Claim (excerpt)：
電子部材(10)であって:基板(12);前記基板に載置されるIII-V材料の第1チャネル閉込め層;前記第1チャネル閉込め層に載置されるIII-V材料の第2チャネル層(18);前記第2チャネル層に載置されるIII-V材料の第3ひずみ補償層(20);前記第3ひずみ補償層と電気的に結合されるソース電極およびドレイン電極(26,28);および前記第3ひずみ補償層に載置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されるゲート電極(34);によって構成されることを特徴とする部材。
IPC (4)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/205
FI (2)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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