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J-GLOBAL ID:200903041042304976
絶縁体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003039960
Publication number (International publication number):2004250498
Application date: Feb. 18, 2003
Publication date: Sep. 09, 2004
Summary:
【課題】良好な溶媒への溶解性、ポリマー中での分散性、優れた塗膜性を兼ね備え、種々の光学材料等として応用可能な絶縁体超微粒子を提供する。【解決手段】ポリアルキレングリコール残基が、絶縁体微結晶表面に結合されてなる絶縁体超微粒子。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
ポリアルキレングリコール残基が、絶縁体微結晶表面に結合されてなる絶縁体超微粒子。
IPC (3):
C09K11/08
, C09K11/02
, C09K11/81
FI (3):
C09K11/08 G
, C09K11/02
, C09K11/81
F-Term (7):
4H001CC13
, 4H001XA08
, 4H001XA15
, 4H001XA57
, 4H001YA58
, 4H001YA63
, 4H001YA65
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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発光体の製造方法及び発光体並びに表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-398798
Applicant:ソニー株式会社
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アミノ基を結合してなる半導体超微粒子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-226558
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体超微粒子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-182747
Applicant:三菱化学株式会社
-
エタノール可溶性半導体超微粒子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-313367
Applicant:三菱化学株式会社
-
水溶性蛍光半導体ナノ結晶
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-571265
Applicant:マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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ナノ粒子の合成
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-525704
Applicant:ナノゾルティオンスゲーエムベーハー
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