水溶性蛍光半導体ナノ結晶

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000571265
Publication number (International publication number)：2002525394
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：

【要約】光放出可能な水溶性半導体ナノ結晶を提供する。該ナノ結晶は、選択されたバンドギャップエネルギー、該半導体ナノ結晶より大きいバンドギャップエネルギーを有する半導体物質からなるコアをオーバーコートするシェル層、ならびに、オーバーコーティングシェル層への分子の付着用の少なくとも一つの結合基、および、必要であれば、疎水性領域での電荷移動を防ぐのに十分な疎水性領域により結合着から離れて間隔があけられる少なくとも一つの親水性基を有する分子からなる外層を有する半導体ナノ結晶を含む。

Claim (excerpt)：

エネルギー放出が可能な水溶性半導体ナノ結晶であって、選択されたバンドギャップエネルギーを有する半導体ナノ結晶コア; 該半導体ナノ結晶コアをオーバーコートするシェル層(該シェルは、該コアのものより大きいバンドギャップエネルギーを有する半導体物質を含む); ナノ結晶への付着用の少なくとも一つの結合基を含む第一部分および少なくとも一つの親水性基を含む第二部分を有する分子を含む外層を含む、水溶性半導体ナノ結晶。

IPC (18)：

C09K 11/08 , C09K 11/02 , C09K 11/55 , C09K 11/56 CPA , C09K 11/56 CPB , C09K 11/56 CPC , C09K 11/56 CPQ , C09K 11/56 CPW , C09K 11/56 CPY , C09K 11/56 CPZ , C09K 11/62 , C09K 11/64 , C09K 11/66 , C09K 11/70 , C09K 11/74 , C09K 11/75 , C09K 11/88 , C09K 11/89

FI (19)：

C09K 11/08 G , C09K 11/08 J , C09K 11/02 Z , C09K 11/55 , C09K 11/56 CPA , C09K 11/56 CPB , C09K 11/56 CPC , C09K 11/56 CPQ , C09K 11/56 CPW , C09K 11/56 CPY , C09K 11/56 CPZ , C09K 11/62 , C09K 11/64 , C09K 11/66 , C09K 11/70 , C09K 11/74 , C09K 11/75 , C09K 11/88 , C09K 11/89

F-Term (21)：

4H001CA02 , 4H001CA04 , 4H001CC01 , 4H001CC13 , 4H001CC14 , 4H001XA07 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA15 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA33 , 4H001XA34 , 4H001XA48 , 4H001XA49 , 4H001XA51 , 4H001XA52 , 4H001XA80 , 4H001XA82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体超微粒子反応試剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-198094 Applicant：三井化学株式会社
特表平7-502479
特表平7-502479