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J-GLOBAL ID：200903041099378283

半導体素子および半導体素子の製造・パッケージング方法

Inventor：
サミュエル・エル・コフマン

About サミュエル・エル・コフマン


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000266476
Publication number (International publication number)：2001110945
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】小型でリードフレームを必要とせず且つ熱放散性にすぐれたパッケージ素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 熱的、電気的伝導に優れた導電材料シート20の上面にダイ付着領域22を、下面にダイ接点24と、リード接点26とをメッキ形成する。リード接点26に対向した上面に銅29、ニッケル、パラジュウム連結層31,33をメッキし、モールド・ロック34を形成する。ダイ付着領域22上に、半導体ダイ40をその特性に応じて半田、導電エポキシなどで付着し、ワイヤボンデング42でモールドロック34と接続する。上面全体を樹脂ハウジングでパッケージし、各素子に切断分離する。
Claim (excerpt)：
半導体素子(70)を製造する方法であって:第1表面(27)と第2表面(23)、および厚さ(21)を有する導電材料シート(20)を設ける段階;前記シート(20)の前記第1表面(27)に、エッチ・レジスト材料(24,26)を選択的に塗布する段階;前記シート(20)の前記第2表面(23)から上方に伸びるモールド・ロック(34)を形成する段階;前記シート(20)の前記第2表面(23)に、半導体ダイを付着する段階;前記半導体ダイ(40)から前記モールド・ロック(34)への電気接続(42)を形成する段階;前記シート(20)の前記第2表面(23)に載置される封入樹脂(50)を設けて、前記モールド・ロック(34),半導体ダイ,および電気接続(42)を封入する段階;および前記エッチ・レジスト材料(24,26)をエッチ・マスクとして使用し、前記第1表面(27)から、前記シート(20)の前記厚さ(21)まで選択的にエッチングする段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (4)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/50
FI (5)：
H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/50 A ,  H01L 23/50 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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