Pat
J-GLOBAL ID:200903034905635848
半導体装置の製造方法、半導体装置用導電性板および半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998262124
Publication number (International publication number):1999195733
Application date: Sep. 16, 1998
Publication date: Jul. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】小型で薄型の半導体装置を簡便な設備により提供し、従来のようなトランスファーモールド技術のためのモールド用の金型やその駆動装置、あるいはリードフレームを曲げるための金型とその駆動装置等の設備投資を不要にすること。【解決手段】導電板をエッチングして少なくとも外部電極端子形成部を残してその他を薄肉化する。チップなどの搭載処理をし、樹脂封止した後、導電板の薄肉部を完全に研削などにより除去する。半導体装置100は、内部に半導体チップ110を持ち、樹脂150により封止されている。下部にはダイ付け突起部12、外部電極形成部13が露出している。半導体チップ110は、接着剤120によりダイ付け突起部12へ固定されている。半導体チップ110の入出力は、導電性ワイヤ130を介して外部電極形成部13へ接続され、外部電極形成部13が半導体装置100の下部に露出していることで達成されている。【効果】樹脂より突出した入出力端子がない、小型半導体装置を製造することが可能である。
Claim (excerpt):
導電性板の片面にて半導体チップ搭載領域と当該チップ搭載領域の周囲に配置される外部電極端子形成領域とを残してその周囲に薄肉部を形成するエッチング工程と、前記半導体チップ搭載領域上に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップと前記外部電極端子形成領域とを電気的に導通させるボンディング工程と、前記導電性板の半導体チップ搭載面側にて半導体チップおよび外部電極端子を内包する樹脂封止工程と、前記導電性板の非エッチング面側から当該導電性板の薄肉部相当厚さ分を研削除去する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 23/28
, H01L 21/50
, H01L 21/56
, H01L 21/60 301
FI (4):
H01L 23/28 F
, H01L 21/50 B
, H01L 21/56 T
, H01L 21/60 301 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-059328
Applicant:日産自動車株式会社
-
チップキャリアの構造およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-240366
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
特開平3-094431
-
リードフレームおよびBGAタイプの樹脂封止型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-173955
Applicant:大日本印刷株式会社
-
特開平3-099456
-
特開平3-094459
-
回路装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-194094
Applicant:三洋電機株式会社
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Cited by examiner (10)
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半導体素子の製造方法
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特開平3-094431
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特開平3-094459
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