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J-GLOBAL ID:200903041157435950
ホットプレート
Inventor:
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,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998103222
Publication number (International publication number):1999297806
Application date: Apr. 15, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】基板を均一な温度に昇温させられるホットプレートを提供する。【解決手段】ホットプレート11の装置本体20内に設けるヒータ22を、吸着面28の外周部分の温度と、それよりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように構成する。例えば、ヒータ22を分割し、外周部分をリング状の第1のヒータパターン221によって構成し、その内部を第2のヒータパターン222によって構成する。吸着面28上に基板15を静電吸着して加熱する場合、基板15の周辺部分の温度は他の部分よりも低下しやすいが、第1のヒータパターン221の発熱量を大きくしておくと、基板15は均一に昇温する。
Claim (excerpt):
静電吸着パターンと、ヒータとが設けられた装置本体を有し、処理対象物の基板を前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パターンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パターンに吸着され、前記吸着面に密着されるように構成されたホットプレートであって、前記ヒータは、前記吸着面の外周部分の温度と、前記外周部分よりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように構成されたことを特徴とするホットプレート。
IPC (4):
H01L 21/68
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (4):
H01L 21/68 R
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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ホットプレート、及び真空加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-345930
Applicant:日本真空技術株式会社
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特開平2-027715
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半導体ウエハー保持装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-017651
Applicant:日本碍子株式会社
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