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J-GLOBAL ID：200903041287762481

異方性薄膜評価方法および評価装置

Inventor：
廣沢 一郎

About 廣沢 一郎


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998115266
Publication number (International publication number)：1999304645
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 薄膜を構成する分子が配向することにより光学的な異方性をもった薄膜の誘電率、および、膜厚を測定する方法と装置を実現する。【解決手段】 直線偏光の平行光を試料表面で焦点を結ぶようにレンズで集光して基板上に作製された薄膜への入射光とし、発生した反射光を前記レンズを通過させることで再び拡張させて偏光子を通過させた後に、S偏光成分およびP偏光成分の各強度を測定することを試料への入射方位を変えて行い、前記薄膜に入射した光の入射角度に依存する反射光強度または反射光の偏光状態の異方性を測定することにより、前記薄膜の分子配向部の、誘電率、主誘電率座標の向き、および厚さと、無配向部の誘電率と厚さを求める。
Claim (excerpt)：
直線偏光の平行光を試料表面で焦点を結ぶようにレンズで集光して基板上に作製された薄膜への入射光とし、発生した反射光を前記レンズを通過させることで再び拡張させて偏光子を通過させた後に、S偏光成分およびP偏光成分の各強度を測定することを試料への入射方位を変えて行い、前記薄膜に入射した光の入射角度に依存する反射光強度または反射光の偏光状態の異方性を測定することにより、前記薄膜の分子配向部の、誘電率、主誘電率座標の向き、および厚さと、無配向部の誘電率と厚さを求めることを特徴とする異方性薄膜評価方法。
IPC (3)：
G01M 11/00 ,  G01J 4/00 ,  G01N 21/23
FI (3)：
G01M 11/00 T ,  G01J 4/00 ,  G01N 21/23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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