Pat

J-GLOBAL ID：200903041300305079

シーケンシャルな堆積及びエッチングを備えたイオン化PVD

Inventor： ツグルル・イェーサー ,  グリン・レイノルズ ,  フランク・セリオ ,  ブルース・ジットルマン ,  マイケル・グラッパーハウス ,  ロドニー・ロビソン
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド
Agent (8)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002588618
Publication number (International publication number)：2004526868
Application date： May. 03, 2002
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

iPVD装置(20)は、真空チャンバ(30)において半導体基板(21)上の高アスペクト比サブミクロン特徴部(11)に材料(10)を堆積するようにプログラムされている。モードは異なるパワー及び圧力パラメータで作動する。ターゲットから材料をスパッタリングするために、例えば、50 mTorr以上の圧力を用い、エッチングするために例えば、数 mTorr以下の圧力を用いる。基板へのバイアスパワーは、エッチングに対するより1オーダー高く、エッチングに対しては数100ボルトを生成するのに対して、堆積に対して数10ボルトだけである。交互のエッチングモードは、基板上の特徴部の端部を張り出す堆積材料を除去し、特徴部の底部(15)から堆積された材料の一部を除去し、特徴部の側壁(16)上に除去された堆積材料を再スパッタする。

Claim (excerpt)：

基板をiPVD装置のチャンバ内に密閉する段階と、チャンバを開けることなく、iPVD工程を実施して、堆積モード、その後エッチングモード、その後他の堆積モードで装置を運転することによって基板上の高アスペクト比のサブミクロン特徴部の表面に導電層を堆積する段階と、を備え、これらのモードを、堆積モード中とエッチングモード中で異なるパワー及び圧力パラメータで作動するように装置を制御することによって実施するiPVD方法。

IPC (2)：

C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (2)：

C23C14/34 U ,  H01L21/285 S

F-Term (22)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029AA29 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA58 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-112943   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-071297   Applicant：ソニー株式会社