半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998112943
Publication number (International publication number)：1999307476
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜に形成された配線溝または接続孔の内部に埋込配線形成用の導体膜を良好に埋め込む。【解決手段】埋込配線11a, 11bを構成する導体膜8bを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後埋込配線11a, 11bを構成する導体膜8cをメッキ法で被着する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または接続孔の少なくとも一方に埋込配線を設ける構造を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)前記絶縁膜に配線溝または接続孔の少なくとも一方を形成する工程と、(b)前記配線溝または接続孔の少なくとも一方の内部および前記絶縁膜上に、銅または銅を含む導体材料からなる第1導体膜を、指向性を有し、かつ、第1導体膜の粒子がターゲットと半導体基板との間で散乱し難い条件で物理的気相成長法により被着する工程と、(c)前記第1導体膜形成後に、銅または銅を含む導体材料からなる第2導体膜をメッキ法により被着する工程と、(d)前記第1導体膜および第2導体膜を削ることにより、前記配線溝または接続孔の少なくとも一方の内部に第1導体膜および第2導体膜からなる埋込配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/285 S , H01L 21/88 B , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

多層配線基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-202330 Applicant：株式会社東芝
スパツタリング方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-198825 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-304677 Applicant：株式会社日立製作所

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