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J-GLOBAL ID:200903041317812446
X線マスクおよびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 章夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997181975
Publication number (International publication number):1998079347
Application date: Jul. 08, 1997
Publication date: Mar. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 X線マスクに形成されるマスクパターンとしてのX線吸収体は、プロセスにおいて表面酸化されるため、酸化によりX線吸収体に内部応力が発生し、パターン位置やパターン寸法に変動が生じる、高精度のX線マスクが得られない。【解決手段】 Siからなる支持枠2上にSiC等のX線透過膜3が形成され、このX線透過膜3上に所要のパターンに形成されるX線吸収体からなるマスクパターン5AがTaO等の酸化物で形成される。X線吸収体の成膜時やパターン形成時にX線吸収体が酸化されることがなく、酸化による応力がX線吸収体に生じることがない。これにより、高精度なパターン位置やパターン寸法を有するX線マスクが得られる。
Claim (excerpt):
X線透過膜上に選択的に形成されたマスクパターンとしてのX線吸収体を有するX線マスクにおいて、前記X線吸収体が酸化物で形成されていることを特徴とするX線マスク。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
Patent cited by the Patent: