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J-GLOBAL ID：200903041348069679

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 佐野 雅彦
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003435311
Publication number (International publication number)：2005197289
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】金属電極層と透光性導電層との界面の劣化を低減して品質を高めた窒化物半導体発光素子等を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板11と、前記基板11の一方の主面上に積層される第1の伝導型窒化物半導体層と、前記第1の伝導型窒化物半導体層上に積層される第2の伝導型窒化物半導体層と、前記第1の伝導型窒化物半導体層と第2の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層14と、前記第2の伝導型窒化物半導体層と電気的に接続される金属電極層と、前記第2の伝導型窒化物半導体層と金属電極層との間に形成される透光性導電層とを備える。この窒化物半導体発光素子は、前記透光性導電層と金属電極層との間で、少なくとも一部に所定のパターンで反射層31が形成されている。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

対向する一対の主面を有する基板と、 前記基板の一方の主面上に積層される第1の伝導型窒化物半導体層と、 前記第1の伝導型窒化物半導体層上に積層される第2の伝導型窒化物半導体層と、 前記第1の伝導型窒化物半導体層と第2の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層と、 前記第2の伝導型窒化物半導体層と電気的に接続される金属電極層と、 前記第2の伝導型窒化物半導体層と金属電極層との間に形成される透光性導電層と、 を備える窒化物半導体発光素子であって、 前記透光性導電層と金属電極層との間で、少なくとも一部に反射層が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (22)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F041FF14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 実開平6-38265号公報
  

Cited by examiner (1)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-021126   Applicant：日亜化学工業株式会社