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J-GLOBAL ID：200903037548764749

発光素子

Inventor： 佐野 雅彦 ,  園部 真也 ,  塩路 修司
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002021126
Publication number (International publication number)：2003224297
Application date： Jan. 30, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は活性層において発光した光を効率よく出射できる窒化物半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】 半導体層とその半導体層とオーミック接触するオーミック電極とを備えた発光素子において、オーミック電極を透光性オーミック電極とし、その透光性オーミック電極を透光性絶縁膜を介して反射層により覆うことにより反射構造を構成し、その反射層はAl、Ag及びRhからなる群から選択された1つで形成した。

Claim (excerpt)：

半導体層とその半導体層とオーミック接触するオーミック電極とを備えた発光素子において、反射構造を備え、その反射構造は、上記オーミック電極を透光性オーミック電極としその透光性オーミック電極を透光性絶縁膜を介して反射層により覆うことにより構成され、かつ上記反射層はAl、Ag及びRhからなる群から選択された1つからなることを特徴とする発光素子。

F-Term (9)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 閉空洞LEDとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-085235   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 発光装置及び発光素子の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-337455   Applicant：シャープ株式会社
• フリップチップ型光半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-141873   Applicant：日亜化学工業株式会社