有機EL素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：中村静男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331472
Publication number (International publication number)：1999162652
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機EL素子を作製するあたっては、対向電極を真空蒸着法によって形成するようにすれば素子性能が高い有機EL素子を得ることができるが、その反面、量産性が低下する。一方、スパッタリング法によって対向電極を形成するようにすれば高い量産性の下に有機EL素子を作製することができるが、従来より適用されているスパッタリング法では、得られる有機EL素子の素子性能が低下する。【解決手段】基材上に下部電極を形成し、該下部電極上に発光部を形成し、該発光部上に対向電極を形成して有機EL素子を得るにあたり、前記の対向電極を保護電極層と主電極層との2層構造とし、かつ、前記の保護電極層を真空蒸着法によって前記の発光部上に形成した後、該保護電極層上に誘導結合型マグネトロンスパッタリング法によって前記の主電極層を形成する。

Claim (excerpt)：

基材と、該基材上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている発光部と、該発光部上に形成されている対向電極とを備え、前記の対向電極が、真空蒸着法によって前記の発光部上に形成された保護電極層と、誘導結合型マグネトロンスパッタリング法によって前記の保護電極層上に形成された主電極層とによって構成されていることを特徴とする有機EL素子。

IPC (3)：

H05B 33/26 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (3)：

H05B 33/26 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319567 Applicant：出光興産株式会社
有機発光デバイスのための電極付着
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-512367 Applicant：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

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