半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025618
Publication number (International publication number)：1997219498
Application date： Feb. 13, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】ストレージノード上の保護膜を除去する際にキャパシタの電気特性劣化の原因となる窪みの発生を防止する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ストレージノード40下の層間膜36の最上層にシリコン酸化膜を用いるとともに、サイドウォール形成のためのエッチング処理前にストレージノード40上面に形成する保護膜42として膜厚30〜100nm程度のシリコン窒化膜を用い、ストレージノード40の側面にサイドウォール41を形成した後、リン酸を用いた等方性エッチングを行うことにより、シリコン窒化膜からなる保護膜42の除去を行う。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンからなるサイドウォールが側面に形成された下部電極と、金属酸化物からなる容量膜を有するスタック型キャパシタを含む半導体装置の製造方法において、前記下部電極の下方に位置する層間膜の最上層にシリコン酸化膜を用いるとともに、前記サイドウォール形成工程のエッチング処理時に前記下部電極の上面を覆う保護膜としてシリコン窒化膜を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-214767
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-002185 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-165552

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