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J-GLOBAL ID：200903041474567951

太陽電池およびその製造方法

Inventor： 大塚 寛之 ,  上松 強志 ,  蕨迫 光紀
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249184
Publication number (International publication number)：1994104463
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高効率の太陽電池を実現する。【構成】 半導体基板上p-n接合を有するポーラス体をに形成する。【効果】 ポーラス体を用いたことにより、その大きさや形状が吸収係数や光閉じ込め率を上げ、キャリアの移動度を高めるため、光電変換効率を高くすることができる。

Claim (excerpt)：

多孔質体を用いたことを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-083339
  
• 多孔質シリコン太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-345710   Applicant：住友電気工業株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-217168   Applicant：キヤノン株式会社