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J-GLOBAL ID：200903041485145960

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 茶谷 雅夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348274
Publication number (International publication number)：1995193125
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 2層以上の配線をエアブリッジ構造とした半導体集積回路装置において、配線容量を改善するとともに、上層配線を平坦に保持し、配線剥がれや製造時における種々の問題を解消する。【構成】 半導体基板1上に形成された第1の柱状絶縁膜4で支えられる第1層配線3と、半導体基板1上に形成された第2の柱状絶縁膜8で支えられる第2層配線7とを備えており、第2の柱状絶縁膜8の高さを第1の柱状絶縁膜4の高さよりも高く設定し、第1層配線3と半導体基板1との間、第2層配線7と半導体基板1の間、第1層配線3と第2層配線7との間にそれぞれ空洞13が存在する構成とする。第1および第2の各柱状絶縁膜4,8はそれぞれ第1層配線3および第2層配線7の延設方向に沿って等間隔で配設される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1の柱状絶縁膜で支えられる第1層配線と、前記半導体基板上に形成された第2の柱状絶縁膜で支えられる第2層配線とを備え、前記第2の柱状絶縁膜の高さを前記第1の柱状絶縁膜の高さよりも高く設定し、前記第1層配線と半導体基板との間、第2層配線と半導体基板の間、第1層配線と第2層配線との間にそれぞれ空洞が存在することを特徴とする半導体集積回路装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-171845
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-072528   Applicant：日本電気株式会社