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J-GLOBAL ID：200903041556419292

ルテニウム系薄膜

Inventor： 小野沢 和久 ,  増子 哲史 ,  神元 俊哉
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016114
Publication number (International publication number)：2000212744
Application date： Jan. 25, 1999
Publication date： Aug. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 CVD法に適する液体ルテニウム化合物、及び溶液CVD法に適する各種溶剤に対する溶解度、溶解安定性の大きいルテニウム化合物並びにこれらのルテニウム化合物を用いた、高い制御性を持ち、且つ安定した原料供給が可能なCVD法によるルテニウム系導電膜及びその製造法を提供すること。【解決手段】 本発明は、非対称のβ-ジケトンを配位子とした特定のβ-ジケトナトルテニウム(下記〔化1〕の一般式(I)で表される化合物)を原料として用いてCVD法により製造されたものである。該一般式(I)で表される化合物は、R1 がメチル基又は第二ブチル基であり、R2 が炭素数2〜4のアルキル基である化合物等である。また、本発明は、該化合物を用いて基板上にルテニウム又は酸化ルテニウムを化学的起相成長させるものである。【化1】

Claim (excerpt)：

下記〔化1〕の一般式(I)で表される化合物を原料として用いてCVD法により製造されたルテニウム系薄膜。【化1】

IPC (5)：

C23C 16/18 ,  C01G 55/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

C23C 16/18 ,  C01G 55/00 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 27/10 611

F-Term (27)：

4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104GG16 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 第8族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224536   Applicant：同和鉱業株式会社