半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000164692
Publication number (International publication number)：2001201545
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】動作状態の半導体集積回路の故障箇所を特定するために、良品の半導体集積回路におけるエミッション像と故障解析を行う半導体集積回路におけるエミッション像とを検出し、両エミッション像を比較して故障解析を行うことを特徴とする。【解決手段】ファンクションテスタ11で発生されるテストパターンが良品及び不良品の半導体集積回路に供給され、動作状態の半導体集積回路の故障している箇所からホットエレクトロンが放出され、エミッション解析装置12によって発光像として検出される。そして、画像処理ユニット13によって画像処理が行われ、良品の半導体集積回路に対応した発光像から不良品の半導体集積回路に対応した発光像が差し引かれ、故障箇所の発光像が抽出される。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路を動作させるためのテスト信号を発生するテスト信号発生部と、それぞれ上記テスト信号を受けて動作する良品の半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像と故障解析を行う半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像とを検出し、両発光像を比較して故障箇所を特定する解析部とを具備したことを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。

IPC (2)：

G01R 31/28 , G06T 1/00 305

FI (2)：

G06T 1/00 305 A , G01R 31/28 H

F-Term (18)：

2G032AA00 , 2G032AB19 , 2G032AB20 , 2G032AD10 , 2G032AE06 , 2G032AE08 , 2G032AE09 , 2G032AE10 , 2G032AE12 , 2G032AF07 , 2G032AG01 , 5B057AA03 , 5B057BA01 , 5B057DA03 , 5B057DA07 , 5B057DA16 , 5B057DB02 , 5B057DC32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

LSIの異常発光箇所特定方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-170353 Applicant：日本電気株式会社

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